澳门太阳娱乐赌城 > 澳门太阳集团2019网站 >

【专利解密】华灿光电外延片制备方案提高二极管发光效率(下)

  设置在衬底与N型GaN层之间的缓冲层,可以部分减小外延层与衬底之间的晶格失配,提高在衬底上生长的外延层的生长质量。第一GaN子层作为后续第一SINx子层等结构的生长基础,可以保证后续SINx子层等结构的生长质量,并且在其上形成有部分微孔,使得第二GaN子层在第一SINx子层上有选择性地生长,位错被截断在第一SINx子层与第二GaN子层之间。也正是因为位错被有效截止在缓冲层内,延伸至N型GaN层及有源层的位错较少,因此可以有效提高外延层的整体质量,有源层内会形成的缺陷较少,有源层内的非辐射复合减少,有效提高了发光二极管的发光效率。

  如上图,为这种发光二极管外延片的制备方法流程图,首先,缓冲层、第一GaN子层、第一SINx子层、第二GaN子层、第二SINx子层及第三GaN子层依次生长在衬底上,第一SINx子层的生长速率为0.01~0.03nm/s。接着,在缓冲层、N型GaN层和有源层上依次分别生长N型GaN层、有源层以及P型GaN层。执行完该步骤后,该外延片就可以形成包括衬底及依次层叠在衬底上的缓冲层、N型GaN层、有源层及P型GaN层的层状结构。在这种结构中,当外延层中有源层的发光效率提高时,发光二极管的峰值发光值也会得到提高,需要达到发光二极管的峰值发光值的电压则会降低。因此,这种发光二极管可应用在对峰值要求高且电压要求低的发光设备中。以上就是华灿光电发明的发光二极管外延片及其制备方案,该方案中采用缓冲层来减少位错现象,使得延伸至N型GaN层及有源层的位错较少,因此可以有效提高外延层的整体质量,并使得发光二极管的发光效率得到提升。